[发明专利]薄膜晶体管及其形成方法与应用其的像素结构有效
| 申请号： | 201710550240.2 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107359204B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈世敏;王澄光;游伟盛 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管包含栅极、栅极介电层、半导体层、绝缘层、分隔物、源极以及漏极。栅极设置于基板上。栅极介电层覆盖栅极。半导体层设置于栅极介电层上。绝缘层覆盖半导体层与栅极介电层，其中绝缘层具有第一与第二开口，对应半导体层设置。分隔物设置于该半导体层上，用以分隔第一与第二开口。源极以及漏极设置于绝缘层上，其中源极通过第一开口电性连接半导体层，漏极通过第二开口电性连接半导体层，源极以及漏极分别位于分隔物的相对两侧。分隔物具有一宽度，该宽度为薄膜晶体管的通道长度，且该通道长度小于等于10微米。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 形成 方法 应用 像素 结构 | ||
【主权项】：
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