[发明专利]半导体存储装置的形成方法

摘要

本发明公开一种半导体存储装置的形成方法，其包含以下步骤。首先，提供基底，其具有存储区，并且，在基底的存储区内形成朝向第一方向延伸的多条位线，各位线的两侧包含三层的侧壁结构。接着，在基底的存储区内形成多个第一插塞，第一插塞位于各位线的两侧，并且，形成分别对位并接触第一插塞的多个导电图案。然后，在形成导电图案后，进行一化学反应制作工艺，改质三层的侧壁结构中的第二层。最后，进行一热处理制作工艺，完全移除第二层，以在三层的侧壁结构中形成空隙层。

主权项

1.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于包含：提供一基底，该基底包含周边区与存储区；在该基底的该存储区形成朝向一第一方向延伸的多条位线，各该位线的两侧包含一侧壁结构，且该侧壁结构具有三层结构；在该基底的该存储区形成多个第一插塞，该些第一插塞位于各该位线两侧；形成多个导电图案，该些导电图案分别对位并接触该些第一插塞；在形成该些导电图案后，进行一化学反应制作工艺，改质该侧壁结构的该三层结构中的一第二层间隙壁；以及进行一热处理制作工艺，移除改质后的该第二层间隙壁，以在该侧壁结构中形成一空隙层。