[发明专利]筛除闪存单元中早期失效的方法在审
| 申请号： | 201710543541.2 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107331419A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在本发明提供的筛除闪存单元中早期失效的方法中，将所述闪存单元中隧穿氧化层处的电压差控制在4V～10V，并且将氧化层处的电压差控制在4V～8V。这样能够使所述闪存单元中隧穿氧化层处的电压差和氧化层处的电压差比现有的电压差低，避免了所述闪存单元中的氧化物被高压损坏，使所述闪存保持耐久性能。 | ||
| 搜索关键词： | 筛除 闪存 单元 早期 失效 方法 | ||
【主权项】：
一种筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，在进行筛除闪存单元中早期失效的过程中，将隧穿氧化层处的电压差控制在4V～10V，将氧化层处的电压差控制在4V～8V。
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