[发明专利]筛除闪存单元中早期失效的方法在审
| 申请号： | 201710543541.2 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107331419A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 筛除 闪存 单元 早期 失效 方法 | ||
1.一种筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，
在进行筛除闪存单元中早期失效的过程中，将隧穿氧化层处的电压差控制在4V～10V，将氧化层处的电压差控制在4V～8V。
2.如权利要求1所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，在进行筛除闪存单元中早期失效的过程中，在所述闪存单元中的字线处施加第一电压，同时，在所述闪存单元中的控制栅处施加第二电压；所述字线处施加的第一电压和所述控制栅处施加的第二电压之间电压差的范围为15V～20V。
3.如权利要求2所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述字线处施加的第一电压是正电压。
4.如权利要求4所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述字线处施加的第一电压范围为4V～8V。
5.如权利要求5所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述字线处施加的第一电压为8V。
6.如权利要求2所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述控制栅处施加的第二电压是负电压。
7.如权利要求7所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述控制栅处施加的第二电压范围为-9V～-7V。
8.如权利要求8所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述控制栅处施加的第二电压为-9V。
9.如权利要求2所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述字线处施加的第一电压和所述控制栅处施加的第二电压时间范围均为7秒～9秒。
10.如权利要求7所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述字线处施加的第一电压和所述控制栅处施加的第二电压时间均为8秒。
11.如权利要求1所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述闪存单元包括衬底以及形成在所述衬底表面上的字线和控制栅。
12.如权利要求1所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层位于字线和控制栅之间。
13.如权利要求1所述的筛除闪存单元中早期失效的方法，其特征在于，所述氧化层位于字线和衬底之间。
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