[发明专利]一种陶瓷膜用高球形度碳化硅粉体的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710537994.4 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN107244919A 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 徐慢;季家友;陈常连 申请(专利权)人: 湖北迪洁膜科技有限责任公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/626
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 代理人: 苏敏
地址: 436001 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种陶瓷膜用高球形度碳化硅粉体的制备方法,它包括如下步骤(1)硅粉的预处理;(2)硅粉前驱体的制备;(3)前驱体的碳化;(4)碳化硅的煅烧;将步骤(3)制得的不定型碳包覆的硅粉颗粒放入高温炉中,真空条件下,按照10℃/min的速度升温至800℃,再按照5℃/min的速度升温至1300~1500℃进行煅烧,保温2~3h,自然冷却至室温,得到碳化硅粉体。本发明具有粒度分布窄、可控、高球形度的特点。
搜索关键词: 一种 陶瓷膜 球形 碳化硅 制备 方法
【主权项】:
一种陶瓷膜用高球形度碳化硅粉体的制备方法,其特征在于:它包括如下步骤:(1)硅粉的预处理a将硅粉,纤维素醚,水按照质量比200:1~8:1000混合,搅拌均匀后倒入量筒中,静置3min,取量筒二分之一液面以下的溶液,放入105℃的烘箱中得到烘干的硅粉;b将上述步骤得到的烘干硅粉与氢氟酸按照质量比1:1~10混合,静置24h后用蒸馏水清洗干净并烘干;(2)硅粉前驱体的制备将步骤(1)得到的硅粉与葡萄糖和蒸馏水按照质量比1:3.5~6:4~6.5混合搅拌30~45min,再置于90℃的水浴箱中20~30min,最后放入105℃的烘箱中干燥12~24h,将干燥后的样品研磨成粉获得硅粉前驱体;(3)前驱体的碳化将硅粉前驱体放入高温炉中,充入氮气气氛,按照15℃/min的升温速度升温到450~500℃,保温2~8h,自然冷却至室温,得到不定型碳包覆的硅粉颗粒;(4)碳化硅的煅烧将步骤(3)制得的不定型碳包覆的硅粉颗粒放入高温炉中,真空条件下,按照10℃/min的速度升温至800℃,再按照5℃/min的速度升温至1300~1500℃进行煅烧,保温2~3h,自然冷却至室温,得到碳化硅粉体。
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