[发明专利]衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710536612.6 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107658199B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 西堂周平;槣原美香;冈嶋优作 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;沈静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法，抑制副产物向处理容器下方的附着。具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理衬底的处理室；盖部，其封闭处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由隔热部与盖部之间的间隙向处理容器下方供给吹扫气体，在隔热部与盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制吹扫气体的流动，使得吹扫气体对处理容器下方的一部分的供给流量比吹扫气体对其他部分的供给流量多。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 盖部罩 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理所述衬底的处理室；盖部，其封闭所述处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由所述隔热部与所述盖部之间的间隙向所述处理容器下方供给吹扫气体，在所述隔热部与所述盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制所述吹扫气体的流动，使得所述吹扫气体对所述处理容器下方的一部分的供给流量比所述吹扫气体对其他部分的供给流量多。
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