[发明专利]衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：

衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持衬底；

处理容器，其在内部具有处理所述衬底的处理室；

盖部，其封闭所述处理容器的下端开口；

吹扫气体供给部，其从所述隔热部与所述盖部之间的间隙的中央部经由所述间隙向所述处理容器下方供给吹扫气体；和

限制部，其设置于所述隔热部与所述盖部之间的间隙，限制所述吹扫气体的流动，使得从中央部在全周方向上流动的所述吹扫气体在圆周方向上产生流导的差异，并使得所述吹扫气体对所述处理容器下方的一部分的供给流量比所述吹扫气体对其他部分的供给流量多。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

还具有盖部罩，该盖部罩在中央部设有穿插旋转轴并成为所述吹扫气体的供给口的孔，并且该盖部罩覆盖所述盖部，

所述限制部形成在所述盖部罩的上表面。

3.一种盖部罩，为衬底处理装置的盖部罩，该衬底处理装置具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理所述衬底的处理室；盖部，其封闭所述处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其从所述隔热部与所述盖部之间的间隙的中央部经由所述间隙向所述处理容器下方供给吹扫气体，所述盖部罩的特征在于，

所述盖部罩在上表面具有限制部，该限制部限制所述吹扫气体的流动，使得从中央部供给且在全周方向上流动的所述吹扫气体在圆周方向上产生流导的差异，并使得所述吹扫气体对所述处理容器下方的一部分的供给流量比所述吹扫气体对其他部分的供给流量多。

4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：

将衬底保持件向处理容器内搬运的工序，该衬底保持件设置在隔热部的上方，并保持衬底；和

通过从所述处理容器下方立起设置的气体喷嘴向所述处理容器内供给处理气体来处理所述衬底的工序，

在处理所述衬底的工序中，

从所述隔热部与将所述处理容器的下端开口封闭的盖部之间的间隙的中央部经由所述间隙向所述处理容器下方供给吹扫气体，通过设置于所述间隙并使从中央部朝向全周方向的所述吹扫气体的流动在圆周方向上产生流导的差异的限制部，所述吹扫气体针对在所述处理容器下方位于排气口的相对侧或位于所述气体喷嘴正下方的一部分，以比其他部分多的流量供给。