[发明专利]衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法，抑制副产物向处理容器下方的附着。具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理衬底的处理室；盖部，其封闭处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由隔热部与盖部之间的间隙向处理容器下方供给吹扫气体，在隔热部与盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制吹扫气体的流动，使得吹扫气体对处理容器下方的一部分的供给流量比吹扫气体对其他部分的供给流量多。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体器件(设备)的制造工序中的衬底处理中，例如使用将多张衬底一次性处理的纵型衬底处理装置。在纵型衬底处理装置中，有由于在处理容器下部附着副产物而产生微粒的情况(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2003-158081号公报

发明内容

在处理容器内产生微粒的话，会对成膜造成不良影响。本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制副产物向处理容器下方的附着的技术。

根据本发明的一个方案，提供一种技术，

具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；

处理容器，其在内部具有处理所述衬底的处理室；

盖部，其封闭所述处理容器的下端开口；和

吹扫气体供给部，其经由所述隔热部与所述盖部之间的间隙向所述处理容器下方供给吹扫气体，

在所述隔热部与所述盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制所述吹扫气体的流动，使得所述吹扫气体对所述处理容器下方的一部分的供给流量比所述吹扫气体对其他部分的供给流量多。

发明效果

根据本发明，能够抑制副产物向处理容器下方的附着。

附图说明

图1是概略地表示在本发明的实施方式中适宜地使用的衬底处理装置的一例的纵剖视图。

图2是在本发明的实施方式中适宜地使用的衬底处理装置的炉口部的横剖视图。

图3是表示以往的构成中的炉口部的气体浓度分布的图。

图4是表示以往的构成中的炉口部的气体浓度与吹扫气体流量的关系的图。

图5是表示以往的构成中的吹扫气体流量与面间均一性的关系的图。

图6是概略地表示在本发明的实施方式中适宜地使用的罩板的一例的立体图。

图7是表示罩板的切缺的大小与炉口部的气体浓度的关系的图。

图8是表示本发明的构成中的炉口部的气体浓度分布的图。

图9是表示在本发明的构成与以往的构成中的炉口部的气体浓度的幅度的图。

图10是表示本发明的实施方式的变形例1的图。

图11是表示本发明的实施方式的变形例2的图。

图12是表示本发明的实施方式的变形例4的图。

图13是在本发明的第二实施方式中适宜地使用的衬底处理装置的隔热部下表面的横剖视图。

图14是在本发明的第二实施方式中适宜地使用的衬底处理装置的隔热部的横剖视图。

图15是表示以往的罩板的立体图。

附图标记说明