[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710532705.1 申请日: 2017-07-03
公开(公告)号: CN107612361B 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 宫沢繁美 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H02H7/125
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;李盛泉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供在半导体装置接收将功率半导体设备断路的控制信号的情况下,能够可靠地断路的驱动功率半导体设备的半导体装置。半导体装置具备:功率半导体元件,其连接在高电位侧的第1端子和低电位侧的第2端子之间,响应于栅极电位而被控制为导通或关断;切断条件检测部,其检测从控制端子接收并控制所述功率半导体元件的控制信号是否满足预先确定的切断条件;以及切断电路,其响应于所述切断条件检测部检测到满足所述切断条件的情况,将所述功率半导体元件的所述栅极电位控制为关断电位,所述切断条件检测部具有与所述第1端子和所述控制端子连接的输入端子,并将从所述输入端子输入的电信号作为电源使用。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:功率半导体元件,其连接在高电位侧的第1端子和低电位侧的第2端子之间,响应于栅极电位而被控制为导通或关断;切断条件检测部,其检测从控制端子接收并控制所述功率半导体元件的控制信号是否满足预先确定的切断条件;以及切断电路,其响应于所述切断条件检测部检测到满足所述切断条件的情况,将所述功率半导体元件的所述栅极电位控制为关断电位,所述切断条件检测部具有与所述第1端子和所述控制端子连接的输入端子,并将从所述输入端子输入的电信号作为电源使用。
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