[发明专利]场板的自对准制造方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710527203.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216437B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 罗泽煌;史霄 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场板的自对准制造方法及半导体器件的制造方法。该自对准制造方法用于在刻蚀好的多晶硅层上形成场板结构，包括：形成覆盖于多晶硅层上的介质层；其中介质层覆盖于未被刻蚀掉的多晶硅上和刻蚀掉多晶硅后的区域上，形成台阶；在所述介质层上涂覆光阻液，使光阻液依靠流动性填充所述台阶的底部，且未覆盖台阶的顶部；以所述光阻液为掩膜，去除位于多晶硅上的介质层；去除所述光阻液，得到位于刻蚀掉多晶硅的区域上的介质层；形成场板材料层，并去除场板材料层的侧壁外侧的部分，得到场板结构。半导体器件的制造方法包括上述场板的自对准制造方法。上述制造方法，避免了关键尺寸精度低的问题，因而可以准确控制场板关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种场板的自对准制造方法，用于在刻蚀好的多晶硅层上形成场板结构，包括：形成覆盖于多晶硅层上的介质层；其中介质层覆盖于未被刻蚀掉的多晶硅上和刻蚀掉多晶硅后的区域上，形成台阶；在所述介质层上涂覆光阻液，使光阻液依靠流动性填充所述台阶的底部，且未覆盖台阶的顶部；以所述光阻液为掩膜，去除位于多晶硅上的介质层；去除所述光阻液，得到位于刻蚀掉多晶硅的区域上的介质层；形成场板材料层，并去除场板材料层的侧壁外侧的部分，得到场板结构。
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