[发明专利]场板的自对准制造方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710527203.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216437B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 罗泽煌;史霄 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种场板的自对准制造方法，用于在刻蚀好的多晶硅层上形成场板结构，包括：
形成覆盖于多晶硅层上的介质层；其中介质层覆盖于未被刻蚀掉的多晶硅上和刻蚀掉多晶硅后的区域上，形成台阶；
在所述介质层上涂覆光阻液，使光阻液依靠流动性填充所述台阶的底部，且未覆盖台阶的顶部；
以所述光阻液为掩膜，去除位于多晶硅上的介质层；
去除所述光阻液，得到位于刻蚀掉多晶硅的区域上的介质层；
于所述位于刻蚀掉多晶硅的区域上的介质层上形成场板材料层，并去除场板材料层的侧壁外侧的部分，得到场板结构。
2.根据权利要求1所述的场板的自对准制造方法，其特征在于，所述形成覆盖于多晶硅层上的介质层的方式为氧化生长或淀积生长。
3.根据权利要求1所述的场板的自对准制造方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅层、或二氧化硅与氮化硅的复合层。
4.根据权利要求1所述的场板的自对准制造方法，其特征在于，以所述光阻液为掩膜，去除位于多晶硅上的介质层的步骤中，采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀去除介质层。
5.根据权利要求1所述的场板的自对准制造方法，其特征在于，所述场板材料层为多晶硅层、钨硅、钛层或氮化钛层。
6.根据权利要求1所述的场板的自对准制造方法，其特征在于，所述形成场板材料层的方式为溅射生长或者淀积生长。
7.根据权利要求1所述的场板的自对准制造方法，其特征在于，所述介质层的厚度为65埃至1000埃之间。
8.根据权利要求1所述的场板的自对准制造方法，其特征在于，所述场板材料层的厚度为200埃至1500埃之间。
9.一种半导体器件的制造方法，包括器件基本单元的主体结构的制造过程，以及在所述主体结构上形成场板的过程，其中，所述在所述主体结构上形成场板的过程采用权利要求1～8任一项所述的方法。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为功率器件。
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