[发明专利]一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板和显示面板有效
| 申请号： | 201710526297.9 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107275191B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 杨昕 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板和显示面板，以简化薄膜晶体管的制作工序，改善有源层沟道区的膜层质量，降低薄膜晶体管的漏电流。薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板之上形成非晶硅层的同时，向该所述非晶硅层掺入预设元素；将含有所述预设元素的所述非晶硅层转换为多晶硅层，其中，所述多晶硅层包括用于作为薄膜晶体管沟道的沟道区、位于所述沟道区一侧用于与源电极对应的第一区、以及位于所述沟道区另一侧用于与漏电极对应的第二区；通过离子注入工艺对所述第一区注入所述预设元素，形成掺杂源区，以及对所述第二区注入所述预设元素，形成掺杂漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在通过化学气相沉积法在衬底基板之上形成非晶硅层的同时，通入预设气体，进而使该所述非晶硅层掺入所述预设元素，其中，所述预设气体含有所述预设元素；将含有所述预设元素的所述非晶硅层转换为多晶硅层，其中，所述多晶硅层包括用于作为薄膜晶体管沟道的沟道区、位于所述沟道区一侧用于与源电极对应的第一区、以及位于所述沟道区另一侧用于与漏电极对应的第二区；通过离子注入工艺对所述第一区注入所述预设元素，形成掺杂源区，以及对所述第二区注入所述预设元素，形成掺杂漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
