[发明专利]MTJ器件与其制作方法在审
| 申请号： | 201710526053.0 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216540A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 邵云亮;孟凡涛;何世坤 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种MTJ器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供基底，基底包括底电极以及位于其两侧的介质层，底电极以及介质层的裸露表面在第一平面上；步骤S2，在第一平面上设置光刻胶膜，经过曝光与显影得到光刻胶图形膜，光刻胶图形膜包括多个光刻胶单元，光刻胶单元位于各底电极两侧的第一平面上；步骤S3，在部分第一平面上以及光刻胶图形膜的裸露表面上设置结构层；步骤S4，采用金属剥离工艺剥离去除光刻胶图形膜以及设置在光刻胶图形膜的表面上的部分结构层，底电极表面上的结构层被保留。该方法无需采用干法刻蚀即可形成MTJ位元，简化了MTJ位元的工艺制程，使得其具有更好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶图形 底电极 裸露表面 光刻胶 结构层 介质层 基底 位元 制作 干法刻蚀 光刻胶膜 金属剥离 设置结构 显影 制程 去除 剥离 曝光 保留 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MTJ器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，提供基底，所述基底包括多个间隔设置的底电极以及位于所述底电极两侧的介质层，所述底电极以及所述介质层的裸露表面在第一平面上；步骤S2，在所述第一平面上设置光刻胶膜，并对所述光刻胶膜依次进行曝光与显影，得到光刻胶图形膜，所述光刻胶图形膜包括多个依次间隔排列光刻胶单元，且所述光刻胶单元位于各所述底电极两侧的所述第一平面上，且所述光刻胶膜的厚度大于或者等于欲设置的结构层的总厚度；步骤S3，在部分所述第一平面上以及所述光刻胶图形膜的裸露表面上设置结构层，所述结构层包括磁性结构层，所述磁性结构层包括参考层、绝缘势垒层以及自由层；以及步骤S4，采用金属剥离工艺剥离去除所述光刻胶图形膜以及设置在所述光刻胶图形膜的表面上的部分所述结构层，所述底电极表面上的所述结构层被保留。
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