[发明专利]MTJ器件与其制作方法

权利要求书

1.一种MTJ器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤S1，提供基底，所述基底包括多个间隔设置的底电极以及位于所述底电极两侧的介质层，所述底电极以及所述介质层的裸露表面在第一平面上；

步骤S2，在所述第一平面上设置光刻胶膜，并对所述光刻胶膜依次进行曝光与显影，得到光刻胶图形膜，所述光刻胶图形膜包括多个依次间隔排列光刻胶单元，且所述光刻胶单元位于各所述底电极两侧的所述第一平面上，且所述光刻胶膜的厚度大于或者等于欲设置的结构层的总厚度；

步骤S3，在部分所述第一平面上以及所述光刻胶图形膜的裸露表面上设置结构层，所述结构层包括磁性结构层，所述磁性结构层包括参考层、绝缘势垒层以及自由层；以及

步骤S4，采用金属剥离工艺剥离去除所述光刻胶图形膜以及设置在所述光刻胶图形膜的表面上的部分所述结构层，所述底电极表面上的所述结构层被保留。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21，在所述第一平面上设置光刻胶膜；

步骤S22，对所述光刻胶膜进行曝光，且使得所述光刻胶膜在厚度方向上的不同位置处的曝光量不同；以及

步骤S23，对所述光刻胶膜进行显影，得到所述光刻胶图形膜，相邻两个所述光刻胶单元之间的间隔在与所述第一平面距离最小的位置处的宽度为W1，相邻两个所述光刻胶单元之间的间隔在与所述第一平面距离最大的位置处的宽度为W2，W1>W2。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述光刻胶膜为正光刻胶膜。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S22中，对所述光刻胶膜进行过曝光，使得所述光刻胶膜中靠近所述第一平面处的光刻胶的曝光量大于远离所述第一平面处的光刻胶的曝光量，从而使得显影后形成的光刻胶图形膜中，相邻两个所述光刻胶单元之间的间隔的宽度先沿远离所述第一平面的方向逐渐减小，后保持不变。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述光刻胶膜包括第一光刻胶层与第二光刻胶层，所述步骤S21包括：

在所述第一平面上依次设置所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层，所述第一光刻胶的曝光敏感度大于所述第二光刻胶的曝光敏感度；对所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层进行曝光，使得显影后形成的光刻胶图形膜中的各所述光刻胶单元包括第一光刻胶单元与第二光刻胶单元，且所述相邻两个所述第一光刻胶单元之间的间隔的宽度为所述W1，相邻两个所述第二光刻胶单元之间的间隔的宽度为W2。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用PVD法沉积所述结构层，优选所述结构层的沉积温度在15～35℃之间。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在沉积所述结构层前，所述步骤S3还包括：

对所述步骤S2形成的结构进行等离子体轰击。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，采用PVD设备沉积所述结构层，且在所述PVD设备的腔室中实施所述等离子体轰击。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述结构层还包括顶电极，所述步骤S3包括：

在部分所述第一平面上以及所述光刻胶图形膜的裸露表面上依次设置参考层、绝缘势垒层与自由层；以及

在所述自由层的远离所述绝缘势垒层的表面上设置顶电极。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用有机溶剂实施所述金属剥离工艺。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述有机溶剂包括丙酮，采用所述丙酮浸泡所述步骤S3形成的结构，以剥离去除所述光刻胶图形膜以及设置在所述光刻胶图形膜的表面上的部分所述结构层。

12.一种MTJ器件，其特征在于，所述MTJ器件采用权利要求1至11中的任一项所述的制作方法制备得到。