[发明专利]用于微机电系统装置和互补金属氧化物半导体装置的集成在审
| 申请号： | 201710521597.8 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107662901A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;朱家骅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于微机电系统装置和互补金属氧化物半导体装置的集成。本发明实施例提供用于将互补金属氧化物半导体CMOS装置与微机电系统MEMS装置集成的工艺。在一些实施例中，使所述MEMS装置形成于牺牲衬底或晶片上，将所述牺牲衬底或晶片接合到CMOS裸片或晶片，且去除所述牺牲衬底或晶片。在其它实施例中，使所述MEMS装置形成于CMOS裸片或晶片的牺牲区域上方且随后去除所述牺牲区域。本发明实施例也提供由所述工艺产生的集成电路IC。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微机 系统 装置 互补 金属 氧化物 半导体 集成 | ||
【主权项】：
一种集成电路IC，其包括：半导体衬底；后段工艺BEOL互连结构，其位于所述半导体衬底上方；压电层，其位于所述BEOL互连结构上方且包括微机电系统MEMS装置；第一电极层和第二电极层，其位于所述BEOL互连结构上方，其中所述压电层布置于所述第一电极层与所述第二电极层之间，且其中所述第二电极层包括延伸穿过所述压电层而到所述第一电极层的通孔；以及空腔，其位于所述半导体衬底与所述压电层之间，其中所述MEMS装置经配置以在所述空腔内移动。
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