[发明专利]制造半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201710518181.0 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108231886B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | L·利韦拉;P·科尔帕尼;P·蒙杰罗法雷洛 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及制造半导体器件的方法以及半导体器件。一种制造竖直导电半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在单晶硅衬底内形成凹部；在该凹部中形成氧化硅晶种层；在该衬底上进行硅的外延生长，同时在该晶种层中生长多晶硅区以及在该衬底的围绕该晶种层的表面区中生长单晶硅区；以及在该多晶硅区中注入掺杂剂种类以形成导电路径，以便使该第二导电端子可从该竖直导电半导体器件的前侧电接入。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件集成了至少一个竖直导电晶体管(11)，所述竖直导电晶体管具有在第一侧(12a)处的第一导电端子(14)、在与所述第一侧(12a)相反的第二侧(12b)处的第二导电端子(22)、以及控制端子(16)，所述竖直导电晶体管可以被偏置用于在所述第一与第二导电端子之间产生导电沟道(18)，所述方法包括以下步骤：‑在单晶硅衬底(30)中形成凹部(38)；‑在所述凹部(38)中形成氧化硅晶种层(40)；‑在所述衬底(30)上进行硅的外延生长，同时在所述晶种层(40)处生长多晶硅区(24)以及在所述衬底(30)的围绕所述晶种层(40)的表面区处生长单晶硅区(42)；‑在所述多晶硅区(24)中注入掺杂剂种类以用于形成至少部分地穿过所述多晶硅区(24)的导电路径(13)；以及‑将所述第二导电端子(22)电耦合至所述导电路径(13)，从而使得所述第二导电端子(22)可经由导电路径(13)从所述第一侧(12a)电接入。
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