[发明专利]一种p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法在审
| 申请号： | 201710515779.4 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107342219A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈慧卿;宁提 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，包括在衬底的p型HgCdTe复合膜层的表面进行光刻，得到带有接触孔的衬底；将带有接触孔的衬底放置在盛有水的容器中进行第一次浸润，以消除接触孔内的气泡；在超声的条件下，将浸润好的衬底放入盛有腐蚀液的容器中进行腐蚀；将腐蚀完毕的衬底用水冲洗后放置在盛有水的容器中进行第二次浸润，以防止腐蚀液继续留在接触孔内。本发明提供的p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法是一种超声辅助湿法腐蚀方法，超声过程产生上下运动的振动波，致使腐蚀液垂直方向运动远强于横向运动，有利于解决腐蚀过程中横向钻蚀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hgcdte 复合 接触 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，包括：在衬底的p型HgCdTe复合膜层的表面进行光刻，得到带有接触孔的衬底；将所述带有接触孔的衬底放置在盛有水的容器中进行第一次浸润，以消除所述接触孔内的气泡；在超声的条件下，将浸润好的衬底放入盛有腐蚀液的容器中进行腐蚀；将腐蚀完毕的衬底用水冲洗后放置在盛有水的容器中进行第二次浸润，以防止所述腐蚀液继续留在所述接触孔内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
