[发明专利]一种p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法

权利要求书

1.一种p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，包括：

在衬底的p型HgCdTe复合膜层的表面进行光刻，得到带有接触孔的衬底；

将所述带有接触孔的衬底放置在盛有水的容器中进行第一次浸润，以消除所述接触孔内的气泡；

在超声的条件下，将浸润好的衬底放入盛有腐蚀液的容器中进行腐蚀；

将腐蚀完毕的衬底用水冲洗后放置在盛有水的容器中进行第二次浸润，以防止所述腐蚀液继续留在所述接触孔内。

2.如权利要求1所述的p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，将所述带有接触孔的衬底放置在盛有水的容器中，在超声频率140～190KHz、超声功率100～150W的条件下进行第一次浸润，所述第一次浸润的时间为90～150s。

3.如权利要求1所述的p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，在超声频率140～190KHz、超声功率100～150W的条件下将浸润好的衬底放入盛有腐蚀液的容器中进行腐蚀，腐蚀时间为5～10s。

4.如权利要求1所述的p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，将腐蚀完毕的衬底用水冲洗后放置在盛有水的容器中，在超声频率140～190KHz、超声功率100～150W的条件下进行第二次浸润，所述第二次浸润的时间为30～60s。

5.如权利要求1所述的p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，在进行第一次浸润、腐蚀和/或第二次浸润时，还包括将接触孔的正面朝上，将所述样品进行上下移动。

6.如权利要求1所述的p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀液按体积比包括：HCL:HNO₃＝(4～6)：1。

7.如权利要求1所述的p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，在衬底的p型HgCdTe复合膜层的表面进行光刻，得到带有接触孔的衬底，包括：

在衬底的p型HgCdTe复合膜层的表面涂光刻胶；

利用光刻机对需要设置接触孔的部位的光刻胶进行曝光，并对曝光部位的光刻胶进行显影，得到带有接触孔的衬底。

8.如权利要求1所述的p型HgCdTe复合膜层接触孔的湿法腐蚀方法，其特征在于，在衬底的p型HgCdTe复合膜层的表面进行光刻之前，还包括：

采用液相外延工艺在衬底上生长HgCdTe外延层，使用磁控溅射设备在所述HgCdTe外延层表面生长CdTe及ZnS复合钝化膜层，经过热处理后，形成p型HgCdTe复合膜层。