[发明专利]晶圆级带TSV通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法有效
申请号: | 201710512423.5 | 申请日: | 2017-06-29 |
公开(公告)号: | CN107346755B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 戴风伟;张文奇 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆清洗装置,包括:清洗台,所述清洗台包括用于支撑待清洗的晶圆的支撑面、与所述支撑面连通的废液收集腔体,所述废液收集腔体用于收集并容纳清洗废液,所述废液收集腔体具有废液出口,用于将所述废液收集腔内的废液排出;晶圆固定装置,所述晶圆固定装置将待清洗的晶圆固定在所述清洗台的支撑面上,其中所述晶圆固定装置包括载片,所述载片具有多个孔,所述待清洗的晶圆与载片层叠在一起,使得待清洗的晶圆上TSV通孔与载片上的孔连通,形成清洗液的流动通道;清洗液释放装置,所述清洗液喷嘴朝向待清洗的晶圆;以及废液排出装置,用于迫使清洗液从待清洗的晶圆上的TSV通孔内流过。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级带 tsv 薄晶圆 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆清洗装置,包括:清洗台,所述清洗台包括用于支撑待清洗的晶圆的支撑面、与所述支撑面连通的废液收集腔体,所述废液收集腔体用于收集并容纳清洗废液,所述废液收集腔体具有废液出口,用于将所述废液收集腔内的废液排出;晶圆固定装置,所述晶圆固定装置将待清洗的晶圆固定在所述清洗台的支撑面上,其中所述晶圆固定装置包括载片,所述载片具有多个孔,所述待清洗的晶圆与载片层叠在一起,使得待清洗的晶圆上的TSV通孔与载片上的孔连通,形成清洗液的流动通道;清洗液释放装置,所述清洗液释放装置包括清洗液喷嘴和清洗液输送管道,所述清洗液喷嘴朝向待清洗的晶圆;以及废液排出装置,所述废液排出装置与废液出口连通,并且在层叠的待清洗的晶圆与所述载片的两个非接触表面之间形成压力差,迫使清洗液从待清洗的晶圆上的TSV通孔内流过,其中载片上的孔的密度大于或等于待清洗的晶圆上的TSV通孔,待清洗的晶圆上的每一个TSV通孔与载片上的至少一个孔连通或部分连通,形成清洗液的流动通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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