[发明专利]一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法在审
| 申请号： | 201710494811.5 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107331613A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 仓凌盛 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，包括下列步骤搜集每批硅片上需要控制的氧化膜厚度；在产品开始处理前抓取实时磷酸中的硅浓度；根据预设的对应关系计算得到氧化膜预设腐蚀速率；使用前层厚度、预设腐蚀速率和目标厚度，自动计算出该批产品所需要的工艺时间；按照计算所得的工艺时间在湿法磷酸设备中进行处理；根据结果对计算预设腐蚀速率的参数进行修正。本发明提出的磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，通过采集实时的磷酸状况(腐蚀速率)和硅片前层氧化膜厚度，使用系统来计算出所需工艺时间，从而对磷酸腐蚀后氧化膜厚度进行较精确的控制，降低厚度波动，达到先进制程的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 刻蚀 工艺 精确 控制 氧化 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，包括下列步骤：搜集每批硅片上需要控制的氧化膜厚度；在产品开始处理前抓取实时磷酸中的硅浓度；根据预设的对应关系计算得到氧化膜预设腐蚀速率；使用前层厚度、预设腐蚀速率和目标厚度，自动计算出该批产品所需要的工艺时间；按照计算所得的工艺时间在湿法磷酸设备中进行处理；根据结果对计算预设腐蚀速率的参数进行修正。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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