[发明专利]一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法在审
| 申请号： | 201710494811.5 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107331613A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 仓凌盛 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 刻蚀 工艺 精确 控制 氧化 厚度 方法 | ||
1.一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，包括下列步骤：
搜集每批硅片上需要控制的氧化膜厚度；
在产品开始处理前抓取实时磷酸中的硅浓度；
根据预设的对应关系计算得到氧化膜预设腐蚀速率；
使用前层厚度、预设腐蚀速率和目标厚度，自动计算出该批产品所需要的工艺时间；
按照计算所得的工艺时间在湿法磷酸设备中进行处理；
根据结果对计算预设腐蚀速率的参数进行修正。
2.根据权利要求1所述的磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，该方法根据磷酸中硅浓度和氧化膜腐蚀速率的对应关系来预估实时的氧化膜腐蚀速率，从而得到氧化膜预设腐蚀速率。
3.根据权利要求1所述的磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，所述工艺时间限定在工艺规格内，以防出现处理后的膜厚超标。
4.根据权利要求1所述的磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，该方法还包括对处理后的硅片再次进行氧化膜厚度测量。
5.根据权利要求4所述的磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，所述修正步骤为根据处理后的氧化膜厚度计算出实际的氧化膜腐蚀速率，和预设腐蚀速率进行对比，如果发现两者偏差超过一定范围，则会根据实际的腐蚀速率对后续的预设腐蚀速率进行修正，来保证氧化膜厚度的稳定。
6.根据权利要求1所述的磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，其特征在于，该方法采用先进工艺控制系统APC系统进行计算和控制处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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