[发明专利]一种硫掺杂磷烯的制备方法有效
申请号: | 201710494312.6 | 申请日: | 2017-06-26 |
公开(公告)号: | CN107151004B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 祖雷;崔秀国;连慧琴 | 申请(专利权)人: | 北京石油化工学院 |
主分类号: | C01B25/02 | 分类号: | C01B25/02 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;李闯 |
地址: | 102600 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种硫掺杂磷烯的制备方法,包括:将磷烯置于等离子体气相沉积设备中,并抽真空至压强为5Pa以下,再向该离子体气相沉积设备中充入含硫气体,直至该离子体气相沉积设备的内部压强为100~1000Pa,然后在1~60min内升温至200~1000℃,并在射频功率5~500W下轰击磷烯1~360min,之后降温至室温,从而制得硫掺杂磷烯。本发明可以将硫元素掺杂到磷烯中,使磷烯具有很好的抗氧化性能,不仅磷烯的物理化学性能不会被破坏,而且操作简单、对设备要求低、产品质量好、产率高,产品可广泛用到电子通信、交通运输等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硫掺杂磷烯的制备方法,其特征在于,包括:将磷烯置于等离子体气相沉积设备中,并抽真空至压强为5Pa以下,再向该离子体气相沉积设备中充入含硫气体,直至该离子体气相沉积设备的内部压强为100~1000Pa,然后在1~60min内升温至200~1000℃,并在射频功率5~500W下轰击磷烯1~360min,之后降温至室温,从而制得硫掺杂磷烯;其中,向离子体气相沉积设备中充入气体的流量为5~100sccm。
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