[发明专利]一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710483443.4 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107134526B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 刘举庆;陈洁;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 江艳丽 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法，属于阻变存储领域。一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层，并公开了其制备方法。本发明采用的原料易得，成本低廉，制备出的存储器呈现非易失性一次写入多次读取存储特性，具有写入电压低、开关比高、误读率低、稳定性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 普适性 非易失性 一次 写入 多次 读取 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层；所述的纯绝缘性聚合物层中的纯绝缘性聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮中的一种；所述的底电极是还原氧化石墨烯电极。
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