[发明专利]光学晶片的制造有效
申请号: | 201710481201.1 | 申请日: | 2013-08-19 |
公开(公告)号: | CN107425030B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 哈特穆特·鲁德曼 | 申请(专利权)人: | 赫普塔冈微光有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;B29D11/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 新加坡新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 制造光学晶片包括提供晶片,所述晶片包括由玻璃增强环氧树脂构成的芯部区域,所述晶片进一步包括在所述芯部区域的顶表面上的第一树脂层和在所述芯部区域的底表面上的第二树脂层。所述芯部区域和第一树脂层与第二树脂层对电磁波谱的特定范围是基本上不透明的。所述晶片进一步包括垂直透明区域,所述垂直透明区域延伸穿过所述芯部区域和所述第一树脂层与第二树脂层,并且由对所述电磁波谱的所述特定范围是基本上透明的材料构成。所述晶片例如通过从其顶表面和其底表面抛光来变薄,以便所得厚度在预定范围内,而不引起所述芯部区域的玻璃纤维暴露。在所述透明区域中的至少一些透明区域的一个或多个暴露表面上提供相应光学结构。 | ||
搜索关键词: | 光学 晶片 制造 | ||
【主权项】:
一种制造光学晶片的方法,所述方法包括:提供包括芯部区域的前体晶片,所述芯部区域由对特定光谱范围的光是基本上不透明的玻璃增强环氧树脂构成,所述前体晶片进一步包括在所述芯部区域的顶表面上的第一树脂层和在所述芯部区域的底表面上的第二树脂层;在所述前体晶片中形成开口,所述开口从所述前体晶片的顶部延伸到所述前体晶片的底部;基本上用材料填充所述开口,所述材料在硬化时对所述特定光谱范围的光是基本上透明的;使所述开口中的所述材料硬化来形成对所述特定光谱范围的光是基本上透明的透明元件;抛光所述前体晶片的顶表面和所述前体晶片的底表面来获得具有预定范围内的厚度的晶片,而不引起所述芯部区域的玻璃纤维暴露,以及在所述透明元件中的至少一些透明元件的一个或多个暴露表面上提供相应光学结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的