[发明专利]半导体存储器件的延迟电路和半导体存储器件有效
| 申请号： | 201710478004.4 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107527647B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 安成悟;姜锡龙;柳慧承;郑载勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周祺 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件的延迟电路包括延迟链、第一相位转换器和第二相位转换器。延迟链连接在输入端子和输出端子之间，包括2N个延迟单元，并延迟第一中间信号以产生第二中间信号。第一相位转换器连接到输入端子，并且向延迟链提供第一中间信号，其中第一中间信号是通过响应于控制信号将输入信号的相位反相或者通过保持输入信号的相位而产生的。第二相位转换器连接到输出端子，并且通过响应于控制信号将第二中间信号的相位反相或通过保持第二中间信号的相位而产生输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 延迟 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的延迟电路，所述延迟电路包括：连接在输入端子和输出端子之间的延迟链，所述延迟链包括至少2N个延迟单元，所述延迟链被配置为延迟第一中间信号以产生第二中间信号，其中N是大于2的自然数；连接到所述输入端子的第一相位转换器，所述第一相位转换器被配置为向所述延迟链提供所述第一中间信号，其中所述第一中间信号是通过响应于控制信号将输入信号的相位反相或保持所述输入信号的相位而产生的；以及连接到所述输出端子的第二相位转换器，所述第二相位转换器被配置为通过响应于所述控制信号将所述第二中间信号的相位反相或保持所述第二中间信号的相位而产生输出信号。
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