[发明专利]纳米带的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米带的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在基板表面设置一半导体薄膜，在半导体薄膜表面设置间隔的条状掩模块，厚度为H，间隔距离为L；向半导体薄膜表面沉积第一薄膜层，第一薄模层的厚度为D，沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ1，且θ1tan‑1(L/H)；改变沉积方向，向半导体薄膜表面沉积第二薄膜层，沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ2，θ2tan‑1[L/(H+D)]，使得0L‑Htanθ1‑(H+D)tanθ210nm，第一薄膜层与第二薄膜层部分重叠，重叠区域为纳米级条带；干法刻蚀第一薄膜层及第二薄膜层，得到一纳米微结构；刻蚀所述半导体薄膜，得到一纳米带。

主权项

1.一种纳米带的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一半导体薄膜，在所述半导体薄膜的表面设置间隔的条状掩模块，条状掩模块的厚度为H，相邻条状掩模块的间隔距离为L，设定该条状掩模块远离半导体薄膜的表面为第一区域，该条状掩模块的侧表面为第二区域，相邻条状掩模块之间暴露的半导体薄膜的表面为第三区域；向设置有条状掩模块的半导体薄膜表面沉积一第一薄膜层，该第一薄模层的厚度为D，并使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ1，且θ1

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