[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在基板的表面依次设置一栅极，一栅极绝缘层，一半导体层；在半导体层表面设置间隔的两掩模块，厚度为H，间隔距离为L；向基板表面沉积一第一导电薄膜层，厚度为D，并使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ1，且θ1tan‑1(L/H)；改变沉积方向，向基板表面沉积一第二导电薄膜层，使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ2，θ2tan‑1[L/(H+D)]，并使得0Htanθ1+(H+D)tanθ2‑L10nm，该第一导电薄膜层与第二导电薄膜层的间隔区域为纳米级沟道，第一导电薄膜层和第二导电薄膜层即作为一源极、一漏极。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板，在所述基板的表面设置一栅极，在所述栅极远离基板的表面设置一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面设置一半导体层；在所述半导体层的表面设置间隔的两条状掩模块，两条状掩模块的厚度为H，两条状掩模块的间隔距离为L，设定该条状掩模块远离半导体层的表面为第一区域，该两条状掩模块相对的两侧表面为第二区域，相邻两条状掩模块之间暴露的半导体层的表面为第三区域；向设置有条状掩模块的半导体层的表面沉积一第一导电薄膜层，该第一导电薄模层的厚度为D，并使得沉积方向与条状掩模块的厚度方向夹角为θ1，且θ1

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