[发明专利]MOS型功率器件及其制备方法

摘要

本发明提供了MOS型功率器件及其制备方法，该MOS型功率器件包括：衬底；位于衬底中、且靠近衬底的上表面设置的阱区；位于阱区中，且靠近衬底的上表面设置的源区；位于衬底上表面的栅极氧化层；位于栅极氧化层上表面的栅极；位于栅极上表面的栅极保护层；位于栅极保护层的上表面，且贯穿栅极保护层、栅极、栅极氧化层和源区与阱区相连的接触电极；位于栅极保护层、栅极、栅极氧化层和接触电极之间的侧墙，其中，侧墙与栅极保护层的刻蚀选择比不低于8：1。该器件可以有效保护栅极保护层不受损伤，防止过刻产生GS短路，可以实现较小的晶胞尺寸，使得器件具有更高的集成度，同时增加了GS寄生电容，减小了米勒平台的宽度以及器件开关损耗。

主权项

1.一种MOS型功率器件，其特征在于，包括：衬底；阱区，所述阱区位于所述衬底中，且靠近所述衬底的上表面设置；源区，所述源区位于所述阱区中，且靠近所述衬底的上表面设置；栅极氧化层，所述栅极氧化层位于所述衬底的上表面；栅极，所述栅极位于所述栅极氧化层的上表面；栅极保护层，所述栅极保护层位于所述栅极的上表面；接触电极，所述接触电极位于所述栅极保护层的上表面，且贯穿所述栅极保护层、所述栅极、所述栅极氧化层和所述源区与所述阱区相连；侧墙，所述侧墙位于所述栅极保护层、所述栅极、所述栅极氧化层和所述接触电极之间，其中，所述侧墙与所述栅极保护层的刻蚀选择比不低于8：1。