[发明专利]用于检测时间依赖介质击穿（TDDB）短路和信号留余测试的电路和方法在审
| 申请号： | 201710472935.3 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108417241A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | J·A·法菲尔德;E·D·亨特-施罗德;D·L·阿南德 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/00;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;李峥 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于检测时间依赖介质击穿短路和信号留余测试的电路和方法。本公开涉及一种结构，其包括被配置为编程多个写入操作的双胞基元存储器、连接到所述双胞基元存储器并被配置为感测电流差分并锁存基于所述电流差分的差分电压的电流感测放大器、以及连接到所述电流感测放大器并被配置为向所述电流感测放大器添加所偏移电流以产生所述差分电压的至少一个电流源。 | ||
| 搜索关键词： | 电流感测放大器 存储器 差分电压 介质击穿 时间依赖 短路 基元 配置 电路 测试 感测电流 偏移电流 写入操作 电流差 电流源 检测 锁存 编程 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：双胞基元存储器，被配置为编程多个写入操作；电流感测放大器，连接到所述双胞基元存储器并被配置为感测电流差分并锁存基于所述电流差分的差分电压；以及至少一个电流源，连接到所述电流感测放大器并被配置为向所述电流差分添加偏移电流以产生所述差分电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体股份有限公司，未经格罗方德半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710472935.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器的控制电路、存储器及其控制方法
- 下一篇：一种防震仪器仪表箱
