[发明专利]一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；2)按照粉料重量：PVA重量＝95:5的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；3)将生坯放入空气炉中进行烧结，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，填充Ar，升温至1600～1800℃进行烧结，保温时间为1～3h，升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低，火花能量大、不受气压和环境介质的影响，耐热冲击、耐电火花的腐蚀，熄灭再启动、高空性能好等优良性能。

主权项

一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取10～30％的Y2O3，50～70％的SiO2，1～5％的MgO，1～5％的CaO，1～5％的Na2O，1～5％的Sr2O3，1～5％的La2O3，进行称量并混合均匀，其中CaO2，Na2O均以碳酸盐的形式引入，将球磨后的混合料装入坩埚中，在空气炉中快速升温至1000～1100℃，保温1～3h，随炉冷却，形成玻璃体系复合氧化物粉末；2)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；3)按照粉料重量：PVA重量＝95:5的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；4)将生坯放入空气炉中进行排胶，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；5)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，抽真空至3.6×10‑3Pa，填充氩气，从室温升温至1600～1800℃进行烧结，保温时间为1～3h，得到低压高能SiC半导体电嘴材料。