[发明专利]低温多晶硅阵列基板的制造方法在审
申请号: | 201710466079.0 | 申请日: | 2017-06-19 |
公开(公告)号: | CN107092145A | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 胡德莹;王中来;曾振助 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G03F7/20 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,王浩 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种低温多晶硅阵列基板的制造方法,涉及液晶面板加工技术领域,解决了现有技术中存在的基板上的图案与目标值之间相差较大的技术问题。低温多晶硅阵列基板的制造方法包括对基板进行第一道光刻制程时,用图形修正值对目标点的期望位置进行修正,获得目标点的实际位置的操作步骤,通过采用图形修正值,在进行第一道光刻制程时对目标值进行了修正,即在进行第一道光刻制程时,是将目标图形预先进行形变后再制作在基板上,这样基板在经过高温烘烤之后,图形虽然还是会发生形变,但是由于制成的图形是带有形变量的图形,因此与目标图形之间的误差会降低很多,可以满足设计的需求。 | ||
搜索关键词: | 低温 多晶 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种低温多晶硅阵列基板的制造方法,包括多道光刻制程,其特征在于,所述光刻制程包括以下步骤:确定基板上多个目标点的期望位置;确定第一道光刻制程的图形修正值;对基板进行第一道光刻制程时,用所述图形修正值对所述目标点的期望位置进行修正,获得所述目标点的实际位置。
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