[发明专利]低温多晶硅阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，包括多道光刻制程，其特征在于，所述光刻制程包括以下步骤：

确定基板上多个目标点的期望位置；

确定第一道光刻制程的图形修正值；

对基板进行第一道光刻制程时，用所述图形修正值对所述目标点的期望位置进行修正，获得所述目标点的实际位置。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图形修正值包括第一道光刻制程在X方向上的修正值T_x以及在Y方向上的修正值T_y；

其中，X方向为基板的短边方向；

Y方向为基板的长边方向。

3.根据权利要求2所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，以所述基板的中心为原点，获得所有的所述目标点的期望位置坐标(U_i，V_j)；

其中，i为大于或等于1的整数；

j为大于或等于1的整数。

4.根据权利要求3所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，所述目标点的实际位置坐标(X_i，Y_j)满足下列定义式：

X_i＝U_i+U_i×T_x；

Y_j＝V_j+V_j×T_y。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括确定第一道光刻制程的点位修正值的步骤。

6.根据权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，先用所述图形修正值对所述目标点的期望位置进行修正后，再用点位修正值进行修正；

不同的所述目标点采用的图形修正值相同，不同的所述目标点采用的点位修正值不同。

7.根据权利要求6所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，所述点位修正值与所述图形修正值之和小于或等于曝光机镜头的最大行程。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，所述基板上至少有两个曝光区，每个所述曝光区内设置至少有4个目标点。

9.根据权利要求8所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，所述目标点位于基板的显示区域最外围的边框上。

10.根据权利要求1-4中任意一项所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于，采用扫描式曝光机进行光刻制程。