[发明专利]低温多晶硅阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别地涉及一种低温多晶硅阵列基板的制造方法。

背景技术

近年来，中小尺寸液晶显示器发展迅猛，液晶面板作为主流显示面板已广泛应用到人们日常生活和工作中。在液晶显示器行业的曝光制程中，需要通过曝光机的光罩进行电路图形定义，但是在曝光制程结束后基板需要经过400～600℃的高温制程，由于基板受到高温烘烤，会使基板发生热形变扩张的状况，而基板的形变会造成其上图形的形貌发生变化，使最终制程完成后的图形与目标值之间相差较大。

发明内容

本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，用于解决现有技术中存在的基板上的图案与目标值之间相差较大的技术问题。

本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，包括多道光刻制程，所述光刻制程包括以下步骤：

确定基板上多个目标点的期望位置；

确定第一道光刻制程的图形修正值；

对基板进行第一道光刻制程时，用所述图形修正值对所述目标点的期望位置进行修正，获得所述目标点的实际位置。

在一个实施方式中，所述图形修正值包括第一道光刻制程在X方向上的修正值Tx以及在Y方向上的修正值Ty；

其中，X方向为基板的短边方向；

Y方向为基板的长边方向。

在一个实施方式中，以所述基板的中心为原点，获得所有的所述目标点的期望位置坐标(Ui，Vj)；

其中，i为大于或等于1的整数；

j为大于或等于1的整数。

在一个实施方式中，所述目标点的实际位置坐标(Xi，Yj)满足下列定义式：

Xi＝Ui+Ui×Tx；

Yj＝Vj+Vj×Ty。

在一个实施方式中，还包括确定第一道光刻制程的点位修正值的步骤。

在一个实施方式中，用所述图形修正值对所述目标点的期望位置进行修正后，再用点位修正值进行修正；

不同的所述目标点采用的图形修正值相同，不同的所述目标点采用的点位修正值不同。

在一个实施方式中，所述点位修正值与所述图形修正值之和小于或等于曝光机镜头的最大行程。

在一个实施方式中，所述基板上至少有两个曝光区，每个所述曝光区内设置至少有4个目标点。

在一个实施方式中，所述目标点位于基板的显示区域最外围的边框上。

在一个实施方式中，采用扫描式曝光机进行光刻制程。

与现有技术相比，本发明的优点在于：通过采用图形修正值，在进行第一道光刻制程时对目标值进行了修正，即在进行第一道光刻制程时，是将目标图形预先进行形变后再制作在基板上，这样基板在经过高温烘烤之后，图形虽然还是会发生形变，但是由于制成的图形是带有形变量的图形，因此与目标图形之间的误差会降低很多，可控制在±1um之间，可以满足设计的需求。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。

图1是本发明的一个实施例中低温多晶硅阵列基板的制造方法的流程图；

图2是本发明的一个实施例中目标点的示意图；

图3是本发明的一个实施例中第一道光刻制程后的图形示意图；

图4是本发明的一个实施例中最终制程完成后的图形示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，其包括多道光刻制程，该光刻制程包括以下步骤：

第一步，确定基板上多个目标点的期望位置。

其中，目标点位于基板的显示区域(AA区)最外围的边框上。如图2所示，图中4指示的阴影部分即为AA区，图中5指示的部分为曝光区，图中包括四个曝光区。

图2中数字1-32表示的为选取的目标点。如图2所示，分别在每个曝光区5选取8个点，且分别位于曝光区5的四个拐角处以及长边的中点和短边的中点处，共32个点。左下角为第1点，并按从左至右蛇形排序的方式选取其余的目标点，左上角为第32点。左下方的曝光区5包括第1、2、3、9、10、11、12、13点，共8个点。

具体地，目标点的期望位置用坐标的形式来表述。例如，以基板的中心为原点，可获得所有的目标点的期望位置坐标(U_i，V_j)；其中，i为大于或等于1的整数；j为大于或等于1的整数。

例如，基板尺寸为1850mm×1500mm，则第1点的坐标为(-925，750)。