[发明专利]P型IBC电池结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201710463920.0 | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107293606A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郑霈霆;张范;张昕宇;金浩;许佳平;孙海杰;郭瑶 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种P型IBC电池结构及其制作方法，在P型IBC电池制作过程中，使用P型单晶硅衬底，直接形成N+掺杂层，而在电极制作过程中，烧结形成金属电极时，同时形成P+层，无需现有技术中制作N型IBC电池过程中的B扩散工艺，避免了多次掩膜及清洗等工序，大大降低了IBC电池工艺流程的复杂度，可以兼容传统晶体硅生产线，制备工艺简单，相对投资成本低，具有极大的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | ibc 电池 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种P型IBC电池结构的制作方法，其特征在于，包括：提供P型单晶硅衬底；在所述P型单晶硅衬底的正面制绒；在所述P型单晶硅衬底的背面形成N+掺杂层；在所述P型单晶硅衬底的正面蒸镀减反膜；在所述P型单晶硅衬底的背面蒸镀钝化层；在所述P型单晶硅衬底的背面制作电极开口；在所述电极开口处制作金属电极，烧结形成P+层和金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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