[发明专利]P型IBC电池结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种P型IBC电池结构及其制作方法。

背景技术

IBC(Interdigitated back contact)电池，也即背接触型太阳能电池从结构上打破传统晶体硅电池的结构限制，为提高电池转换效率提供较大空间。

现有技术中IBC太阳能电池的衬底通常N型硅衬底，常规制作工艺为：去损伤层及制绒—双面扩散形成N+层—刻蚀并去PSG—淀积或印刷形成掩膜—腐蚀形成P+掺杂区—扩散形成P+掺杂层—形成正面钝化层和减反射层—背面掩膜形成N+表面钝化层—背面掩膜形成P+表面钝化层—背面形成增反射层—刻蚀形成电极接触图形—印刷电极—烧结。

以上仅是制作N型IBC电池的主要步骤，而在实际生产过程中，N型IBC电池的制作涉及到非常多的技术细节及相应的操作，使得N型IBC电池生产工艺复杂，成本高昂，影响了IBC电池的推广。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种P型IBC电池结构及其制作方法，以解决现有技术中N型IBC制作工艺复杂、成本高昂，对IBC电池的推广造成影响的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种P型IBC电池结构的制作方法，包括：

提供P型单晶硅衬底；

在所述P型单晶硅衬底的正面制绒；

在所述P型单晶硅衬底的背面形成N+掺杂层；

在所述P型单晶硅衬底的正面蒸镀减反膜；

在所述P型单晶硅衬底的背面蒸镀钝化层；

在所述P型单晶硅衬底的背面制作电极开口；

在所述电极开口处制作金属电极，烧结形成P+层和金属电极。

优选地，具体包括：

提供P型单晶硅衬底；

在所述P型单晶硅衬底的正面制绒；

在所述P型单晶硅衬底的背面进行磷掺杂，形成N+掺杂层；

在所述N+掺杂层背离所述P型单晶硅衬底的表面形成背面掩膜板；

在所述N+掺杂层上形成开口；

清洗所述开口，去损伤；

去除所述P型单晶硅衬底正面的磷硅玻璃；

对所述P型单晶硅衬底正面进行反应离子刻蚀和去损伤刻蚀；

去除所述背面掩膜板；

在所述P型单晶硅衬底的正面蒸镀减反膜；

在所述P型单晶硅衬底的背面蒸镀钝化层；

在所述P型单晶硅衬底的背面制作电极开口；

在所述电极开口处制作金属电极，烧结形成P+层和金属电极。

优选地，在所述电极开口处制作金属电极，烧结形成P+层和金属电极，具体包括：

在所述电极开口处印刷铝浆，在所述电极开口之外的区域印刷银浆；

对所述铝浆和所述银浆进行烧结，所述电极开口处对应的P型单晶硅衬底内形成P+层铝背面电场和铝电极，所述银浆对应区域形成银电极，所述银电极与所述N+掺杂层电连接。

优选地，所述在所述正面制绒，具体包括：

将所述P型单晶硅片置于质量分数为1.3％-1.6％的制绒液中20min-30min进行制绒。

优选地，所述在所述P型单晶硅衬底的背面进行磷掺杂，形成N+掺杂层，具体包括：

提供石英舟；

将所述P型单晶硅片的正面相靠置于所述石英舟上；

在780℃-800℃磷环境下扩散20min-30min；

在810℃-830℃温度下推进10-20min，形成N+掺杂层；

其中，所述N+掺杂层的方阻范围为：80Ω/□-90Ω/□，包括端点值。

优选地，所述在所述N+掺杂层上形成开口和所述在所述背面制作电极开口，均采用激光进行开模，形成所述开口和所述电极开口。

本发明还提供一种P型IBC电池结构，采用上面任意一项所述的制作方法制作形成，所述P型IBC电池结构包括：

P型单晶硅衬底，所述P型单晶硅衬底包括相对设置的正面和背面；

位于所述P型单晶硅衬底正面的绒面结构；

覆盖所述绒面结构的减反膜；

位于所述P型单晶硅衬底背面的N+掺杂层，所述N+掺杂层上包括开口；

覆盖所述N+掺杂层的钝化层；

位于所述开口内，形成在所述P型单晶硅衬底内的背面电场；

位于所述背面电场对应区域，且凸出于所述N+掺杂层的第一电极；

位于所述开口外，与所述N+掺杂层电连接的第二电极。

优选地，所述第一电极为铝电极，所述第二电极为银电极。