[发明专利]浪涌保护器及其制作方法在审
| 申请号： | 201710453172.8 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148432A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 胡勇海;纪刚;诸舜杰;钟添宾;顾建平 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/74;H01L21/8222;H01L21/332 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;李梦男 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种浪涌保护器及其制作方法。浪涌保护器包括晶闸管，晶闸管包括：N型半导体衬底、第一P型阱、第一N型阱，第二P型阱和第二N型阱；所述N型半导体衬底的顶部设有第一凹槽，所述第一P型阱设于所述第一凹槽中，所述第一N型阱设于所述第一P型阱中；所述第一N型阱作为所述晶闸管的阴极区；N型半导体衬底的底部设有第二凹槽，第二凹槽位于所述第一凹槽下方，第二P型阱位于所述第二凹槽中；第二P型阱沿第二P型阱的截面的宽度方向设有通孔，所述第二N型阱设于所述通孔中；当所述晶闸管导通时，所述第二N型阱用于收集所述阴极区发射的电子。本发明能有效减轻三极管与晶闸管之间的干扰问题，且大大减小了浪涌保护器的版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 浪涌保护器 衬底 阴极区 通孔 三极管 导通 减小 制作 发射 | ||
【主权项】：
1.一种浪涌保护器，包括晶闸管，其特征在于，所述晶闸管包括：N型半导体衬底、第一P型阱、第一N型阱，第二P型阱和第二N型阱；所述N型半导体衬底的顶部设有第一凹槽，所述第一P型阱设于所述第一凹槽中，所述第一N型阱设于所述第一P型阱中；所述第一N型阱作为所述晶闸管的阴极区；所述N型半导体衬底的底部设有第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽下方，所述第二P型阱位于所述第二凹槽中；所述第二P型阱沿所述第二P型阱的截面的宽度方向设有通孔，所述第二N型阱设于所述通孔中；当所述晶闸管导通时，所述第二N型阱用于收集所述阴极区发射的电子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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