[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710451568.9 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109148295A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：形成衬底、鳍部、隔离层，且隔离层表面低于鳍部的顶部表面，位于延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第一隔离层，位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第二隔离层；在鳍部之间形成牺牲层，去除部分位于所述第一隔离层上的牺牲层露出所述隔离层，形成凹槽；在所述凹槽内形成介质层，所述介质层与位于所述介质层下方的第一隔离层构成第一隔离结构；去除剩余所述牺牲层；所述第二隔离层用于构成第二隔离结构。由于采用填充的方式在凹槽中形成介质层，使得所述介质层与其两侧的鳍部结合紧密，扩大了后续形成伪栅结构的工艺窗口，从而提高了所述伪栅结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离层 鳍部 介质层 牺牲层 半导体结构 隔离结构 伪栅结构 去除 隔离层表面 顶部表面 工艺窗口 垂直鳍 衬底 延伸 填充 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；在所述鳍部之间形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面，位于延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第一隔离层，位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第二隔离层；在所述鳍部之间形成牺牲层，所述牺牲层表面与所述鳍部表面齐平，位于所述第一隔离层上的牺牲层为第一牺牲层，位于所述第二隔离层上的牺牲层为第二牺牲层；去除部分所述第一牺牲层露出所述隔离层，形成凹槽；在所述凹槽内形成介质层，所述介质层与位于所述介质层下方的第一隔离层构成第一隔离结构；去除剩余所述牺牲层；所述第二隔离层用于构成第二隔离结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710451568.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
