[发明专利]一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710448040.6 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107170833A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;李晓庆;张啸尘;徐苗;王磊;彭俊彪;王晓峰;张紫辰 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/428;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为在玻璃基板上直流磁控溅射AlNd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOxNd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，再在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；最后所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明采用全固态激光处理TFT器件，器件性能可达到与热退火处理器件性能相近，有效地节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层；(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，作为有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。
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