[发明专利]一种含氢掺铝类金刚石薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710444712.6 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107267941A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 林松盛;许伟;代明江;周克崧;石倩;侯惠君;韦春贝;李洪;赵凤丽;苏一凡 | 申请（专利权）人： | 广东省新材料研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所44216 | 代理人： | 千知化 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含氢掺铝类金刚石薄膜的制备方法，本发明方法是通过采用中频磁控溅射孪生铝靶复合阳极层流型离子源离化甲烷或乙炔气体技术，在基体表面沉积含氢掺铝类金刚石薄膜，能够实现低温、大面积、长时间沉积，具有设备简单、生产成本低、效率高的特点，可用于各种零部件表面减摩耐磨防护。本发明提出了一种能够实现快速、稳定地沉积膜/基结合强度高、摩擦系数和磨损率低的含氢掺铝类金刚石薄膜制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含氢掺铝类 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含氢掺铝类金刚石薄膜的制备方法，其特征是由步骤如下组成：1）将除油清洗后的基材置于真空室中工件架上，抽真空至本底真空度＜3×10‑3Pa；2）将氩气通入离子源中，保持压力为0.3~0.4Pa，调节离子源电流至1.0~1.5A，同时在基材上施加‑700~‑800V偏压，对基体表面进行离子清洗和表面活化20~30分钟；3）离子清洗和表面活化后，将基体偏压降至‑100~‑200V，通入流量为30~60sccm的甲烷或乙炔和流量为80~120sccm的氩气，铝靶电流为1.0~3.0A，离子源电流为1.0~1.5A，沉积气压为0.35~0.5Pa，沉积60~240分钟，镀膜结束，待炉内温度降至室温，基体表面得到含氢掺铝类金刚石薄膜。
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