[发明专利]具有堆叠布局的半导体器件有效
| 申请号： | 201710443368.9 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107492552B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | T·胡耶恩鲍;A·维洛索;J·雷恰特 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;布鲁塞尔自由大学 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨洁;蔡悦 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所公开的技术一般涉及半导体器件，更具体而言涉及具有堆叠布置的半导体器件，并且还涉及制造这样的器件的方法。在一个方面，半导体器件包括被形成在衬底上并且至少部分地沿垂直方向堆叠的第一存储器器件和第二存储器器件。第一和第二存储器器件中的每一个均具有多个垂直晶体管，其中每个垂直晶体管具有在垂直方向上延伸的垂直沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 布局 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：具有主表面的半导体衬底；被形成在所述衬底上并且相对于所述主表面至少部分地沿垂直方向堆叠的第一存储器器件和第二存储器器件，其中所述第一和第二存储器器件中的每一个均具有多个垂直晶体管，每个垂直晶体管具有在所述垂直方向上延伸的垂直沟道。
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