[发明专利]层数可控氮掺杂石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201710436464.0 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109019571B | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 方小红;万吉祥;尤莹;徐一麟;陈小源 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种层数可控氮掺杂石墨烯的制备方法，包括如下步骤：1）提供一生长衬底及一氮碳固态源；2）在还原气氛下将所述生长衬底加热至生长温度，并在所述还原气氛下将所述氮碳固态源加热使其升华，以在所述生长衬底表面沉积结晶形成层数可控的氮掺杂石墨烯。本发明的制备方法为化学气相沉积法，采用的设备简单、操作便捷、易于实现大面积石墨烯的制备，且可以避免杂质的引入；本发明的制备方法采用单一的含氮固态碳源，能在生长过程中直接实现氮掺杂，提高了制备过程的安全性和便捷性；同时，可以降低反应温度并大幅缩短了反应时间，生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 层数 可控 掺杂 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层数可控氮掺杂石墨烯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1)提供一生长衬底及一氮碳固态源；2)在还原气氛下将所述生长衬底加热至生长温度，并在所述还原气氛下将所述氮碳固态源加热使其升华，以在所述生长衬底表面沉积结晶形成层数可控的氮掺杂石墨烯。
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