[发明专利]新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 201710421615.5 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107134489A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 孙向东;谈益民 | 申请（专利权）人： | 无锡罗姆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 秦昌辉 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管，包括n‑型漂移区，n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，n+型场阻止层的下方设置有集电极区，集电极区包括间隔设置的n+型集电极区和p+型集电极区，集电极区的下方设置有与集电极区连接的集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于第一基极区P++下方的第二基极区P‑，基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，n+型发射区和基极区上方设有与n+型发射区连接的发射极，栅极的外侧面上设置有栅绝缘层本发明的新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 截止 阳极 短路 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种新型的场截止阳极短路型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括n‑型漂移区，所述n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有集电极区，所述集电极区包括间隔设置的n+型集电极区和p+型集电极区，所述集电极区的下方设置有与集电极区连接的集电极；所述n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，所述基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于所述第一基极区P++下方的第二基极区P‑，所述基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，所述n+型发射区和基极区上方设有与所述n+型发射区连接的发射极，所述栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。
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