[发明专利]焊接劈刀及其制备方法有效
申请号: | 201710419414.1 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107275243B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 邱基华 | 申请(专利权)人: | 潮州三环(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;C04B35/622;C04B35/10;B28B23/04;B28B3/26 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘雯 |
地址: | 521000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种焊接劈刀,连接部及连接所述连接部的刀嘴部,所述焊接劈刀中间部分开设有通路,所述通路自连接部的顶端延伸至刀嘴部的底端,通路连通连接部及刀嘴部;通路包括圆柱槽及连通圆柱槽的锥形槽,圆柱槽的直径大于锥形槽的直径。根据超声波的自由衰减特性,通路设计为圆柱槽与锥形槽连接而成,提高刀嘴部的质量比重,使超声传递阻尼下降,进而提高超声波传递效率,减少能量的损失;刀嘴部未有可藏纳材料残留的凹槽,无需担心在焊接过程中因金属残留而影响焊接劈刀使用寿命的问题;连接部和刀嘴部耦合连接,中间未过渡段,可通过注射成型和干压成型的制备方法一体成型制备,易于生产。 | ||
搜索关键词: | 焊接 劈刀 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种焊接劈刀,其特征在于,包括连接部及连接所述连接部的刀嘴部,所述焊接劈刀中间部分开设有通路,所述通路自所述连接部的顶端延伸至所述刀嘴部的底端,所述通路连通所述连接部及刀嘴部;所述通路包括圆柱槽及连接所述圆柱槽的锥形槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造