[发明专利]用于执行内部处理的存储器设备及其操作方法有效
申请号: | 201710412819.2 | 申请日: | 2017-06-05 |
公开(公告)号: | CN107480077B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 吴凛;柳济民;K.帕万库马尔 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种存储器设备包括存储器单元阵列,所述存储器单元阵列具有带有对应的多个独立通道的多个存储器单元组,并且所述设备及其操作方法对存储器单元组执行内部数据处理操作。所述存储器设备包括内部命令发生器和用于公共内部处理通道的内部公共总线,其中所述内部命令发生器被配置为响应于命令的接收生成一个或多个内部命令来执行内部数据处理操作,所述内部公共总线被布置为由所述多个存储器单元组共享,并被配置为当执行所述内部数据处理操作时,在所述多个存储器单元组之间形成数据的传输路径。 | ||
搜索关键词: | 用于 执行 内部 处理 存储器 设备 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
一种存储器设备,包括:具有内部命令发生器的缓冲器裸片,所述内部命令发生器被配置为从外部存储器控制器接收用于由所述存储器设备执行至少一个内部数据处理操作的第一外部命令,并响应于此,生成用于使所述存储器设备运行对应的内部存储器操作以执行所述至少一个内部数据处理操作的至少两个内部命令;与缓冲器裸片堆叠在一起的第一核心裸片和第二核心裸片,所述第一核心裸片和所述第二核心裸片中的每一个具有多个动态随机存取存储器(DRAM)单元,所述DRAM单元被安排成至少第一核心裸片的第一存储器单元组以及第二核心裸片的第二存储器单元组;多个硅通孔(TSV),其延伸穿过所述第一核心裸片及所述第二核心裸片以便连接到所述缓冲器裸片;至少两个独立通道,每个与所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组中的对应一个相关联,所述至少两个独立通道各自包括所述TSV的对应组;以及公共内部处理通道,其在所述第一核心裸片和所述第二核心裸片的所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组之间共享。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710412819.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。