[发明专利]用于执行内部处理的存储器设备及其操作方法

说明书

一种存储器设备包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有带有对应的多个独立通道的多个存储器单元组，并且所述设备及其操作方法对存储器单元组执行内部数据处理操作。所述存储器设备包括内部命令发生器和用于公共内部处理通道的内部公共总线，其中所述内部命令发生器被配置为响应于命令的接收生成一个或多个内部命令来执行内部数据处理操作，所述内部公共总线被布置为由所述多个存储器单元组共享，并被配置为当执行所述内部数据处理操作时，在所述多个存储器单元组之间形成数据的传输路径。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年6月8日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0071074号韩国专利申请的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种存储器设备，更具体地，涉及一种用于执行内部处理的存储器设备及其操作方法。

背景技术

广泛用于高性能电子系统中的半导体存储器设备的容量和速度正在增加。作为半导体存储器设备的示例，作为易失性存储器的动态随机存取存储器(DRAM)，是其中数据由存储在电容器中的电荷确定的存储器。

半导体存储器设备可以通过一个或多个通道与外部存储器控制器交换数据。例如，根据从存储器控制器提供的命令的类型，可以执行对从存储器控制器提供的数据的处理操作，或者可以读取存储在其中的数据，执行针对所读取的数据的处理操作，然后可以将经处理的数据提供给存储器控制器。在这种情况下，由于在半导体存储器设备和存储器控制器之间的带宽被占用，可能出现降低信道的使用效率以及增加功耗的问题。

发明内容

本发明的概念涉及存储器设备，以及操作存储器设备的方法，其使用在至少两个存储器单元组之间共享的内部处理通道对存储器设备的至少两个存储器单元组的存储器单元执行内部处理操作。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种存储器设备，包括：缓冲器裸片(bufferdie)，其具有内部命令发生器，被配置为从外部存储器控制器接收用于由存储器设备执行至少一个内部数据处理操作的第一外部命令，并且响应于此，生成用于使该存储器设备运行对应的内部存储器操作以执行至少一个内部数据处理操作的至少两个内部命令；与缓冲器裸片堆叠在一起的第一核心裸片(core die)和第二核心裸片，该第一和第二核心裸片中的每一个具有多个动态随机存取存储器(DRAM)单元，该DRAM单元被布置成至少第一核心裸片的第一存储器单元组以及第二核心裸片的第二存储器单元组；多个硅通孔(throughsilicon vias，TSV)，其延伸穿过该第一核心裸片及该第二核心裸片以便连接到所述缓冲器裸片；至少两个独立通道，每个独立通道与第一存储器单元组和第二存储器单元组中的对应一个相关联，该至少两个独立通道各自包括TSV的对应集合；以及在第一核心裸片和第二核心裸片的第一存储器单元组和第二存储器单元组之间共享的公共内部处理通道。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种存储器设备，包括：缓冲器裸片，其具有内部命令发生器，其被配置为从外部存储器控制器接收用于由存储器设备执行的至少一个内部数据处理操作的第一外部命令，并且响应于此，生成用于使存储器设备运行(execute)对应的内部存储器操作以执行至少一个内部数据处理操作的至少两个内部命令；与缓冲器裸片堆叠在一起的至少一个核心裸片，该至少一个核心裸片具有被布置成多个存储器单元组的多个动态随机存取存储器(DRAM)单元；多个硅通孔(TSV)，其延伸穿过至少一个核心裸片以便连接到该缓冲器裸片；以及至少两个独立通道，每个独立通道与存储器单元组中的对应一个相关联，该至少两个独立通道各自包括TSV的对应集合，其中当存储器设备执行至少一个内部数据处理操作时，TSV中的至少一些由多个存储器单元组中的至少两个共享。