[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示基板

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示基板。制作方法包括在衬底基板上依次形成多晶硅图层和保护图层；使用第一刻蚀气体，对保护图层进行刻蚀，得到保护图形；以保护图形为掩膜板，使用第二刻蚀气体，同时对保护图形以及多晶硅图层进行刻蚀，得到多晶硅图形以及保护残留图形，保护图形被第二刻蚀气体刻蚀的速率不小于多晶硅图层被第二刻蚀气体刻蚀的速率；形成非晶硅图形，非晶硅图形与多晶硅图形的刻蚀侧面相接触，露出一部分保护残留图形，多晶硅图形和非晶硅图形共同组成有源层。本发明的方案可以形成刻蚀侧面具有坡度的多晶硅图形，从而获得与非晶硅图形更多的接触面积，可提高薄膜晶体管的电子迁移率。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括形成有源层的步骤，所述步骤包括：在衬底基板上依次形成多晶硅图层和保护图层；使用第一刻蚀气体，对所述保护图层进行刻蚀，得到由保护图层形成的保护图形；以所述保护图形为掩膜板，使用第二刻蚀气体，同时对所述保护图形以及多晶硅图层进行刻蚀，得到由多晶硅图层形成的多晶硅图形，以及由保护图形形成的保护残留图形，其中所述保护图形被所述第二刻蚀气体刻蚀的速率不小于所述多晶硅图层被所述第二刻蚀气体刻蚀的速率；形成非晶硅图形，所述非晶硅图形与所述多晶硅图形的刻蚀侧面相接触，且露出一部分保护残留图形，所述多晶硅图形和所述非晶硅图形共同组成有源层。