[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710404836.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107068771B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 卢瑞 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，涉及液晶面板加工技术领域，解决了现有技术中存在的低温多晶硅的生产过程中容易产生晶界缺陷的技术问题。低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法通过采用先在栅绝缘层上形成氧化硅介电层、后在氧化硅介电层上形成氮化硅介电层的操作步骤，使介电层的膜层结发生了改变，即介电层的界面由氮化硅‑氧化硅变为氧化硅‑氮化硅，由于介电层下方的栅绝缘层为氮化硅沉积获得，因此介电层与栅绝缘层之间的界面为同种物质，消除了兼容性的问题；同理，绝缘层由氧化硅沉积获得，因此介电层与绝缘层之间也不存在兼容性的问题，即可消除介电层以及绝缘层的晶界缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成多晶硅薄膜层，对所述多晶硅薄膜层进行图案化处理，获得有源层，在所述有源层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成氧化硅介电层；在所述氧化硅介电层上形成氮化硅介电层；在所述氮化硅介电层上形成绝缘层。
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