[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成多晶硅薄膜层，对所述多晶硅薄膜层进行图案化处理，获得有源层，在所述有源层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成氧化硅介电层；

在所述氧化硅介电层上形成氮化硅介电层；

在所述氮化硅介电层上形成绝缘层；

其中，在所述栅绝缘层上形成氧化硅介电层时，先在所述栅绝缘层上沉积第一氮化硅层，然后再沉积形成氧化硅介电层；

所述氧化硅介电层和所述栅绝缘层之间的界面为同种物质，所述氮化硅介电层与所述绝缘层之间的界面为同种物质。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上形成氧化硅介电层时，先采用氢等离子体对所述栅绝缘层进行氢化处理后，然后再沉积形成氧化硅介电层；进行所述氢化处理的时间为10-40s。

4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述氧化硅介电层上形成氮化硅介电层时，形成所述氮化硅介电层的同时加入氢气进行氢化处理；所述氢气的质量流量为1800-2200SCCM。

5.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，进行所述氢化处理后形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层的厚度为

6.根据权利要求2或3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化硅介电层和所述氮化硅介电层的厚度均为

7.一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括从下到上依次设置的栅绝缘层、介电层和绝缘层，其特征在于，采用权利要求1-6中任意一项所述的方法制作得到，所述介电层和所述栅绝缘层之间的界面为同种物质，所述介电层与所述绝缘层之间的界面为同种物质。

8.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述介电层包括氧化硅介电层和位于所述氧化硅介电层上的氮化硅介电层，所述栅绝缘层和所述氧化硅介电层之间设置有电极层；

所述栅绝缘层的下方从下至上依次设置有基板和多晶硅薄膜层。

9.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述介电层包括从下至上依次设置的第一氮化硅层、氧化硅介电层和氮化硅介电层，所述栅绝缘层和所述第一氮化硅层之间设置有电极层；

所述栅绝缘层的下方从下至上依次设置有基板和多晶硅薄膜层。

10.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

所述介电层包括从下至上依次设置的第二氮化硅层、氧化硅介电层和氮化硅介电层，所述栅绝缘层和所述第二氮化硅层之间设置有电极层；

所述栅绝缘层的下方从下至上依次设置有基板和多晶硅薄膜层。