[发明专利]一种直接生长超薄多孔石墨烯分离膜的方法有效
| 申请号： | 201710404233.1 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107051228B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 全燮;魏高亮;陈硕;于洪涛 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D67/00;C01B32/184 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种直接生长超薄多孔石墨烯分离膜的方法，属于膜技术领域。把刻蚀剂、有机溶剂和高分子聚合物涂覆在金属箔上，在无氧条件下高温煅烧；去掉金属基底和反应产物，即可得到单层或多层的多孔石墨烯分离膜。或将刻蚀剂的溶液或分散液涂覆在金属箔上，再覆盖一层有机高分子聚合物薄膜，在无氧条件下高温煅烧，去掉金属基底和反应产物，即可得到单层或多层的多孔石墨烯分离膜。本发明公开的方法简单，无需昂贵的设备和药品，成本低；可以直接生长出多孔石墨烯分离膜，不需要事先制备石墨烯原材料；制备出的石墨烯膜孔径可调，具有超高的水通量和和抗不可逆污染的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 生长 超薄 多孔 石墨 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种直接生长超薄多孔石墨烯分离膜的方法，其特征在于，步骤如下：(1)将刻蚀剂、溶剂A和高分子聚合物的混合物涂覆在金属箔上，在无氧条件下高温煅烧，其中，刻蚀剂、有机高分子聚合物和溶剂A的质量比为1:0.5‑50:100‑1000；或将刻蚀剂的溶液或分散液涂覆在金属箔上，再覆盖一层有机高分子聚合物薄膜，在无氧条件下高温煅烧，其中，刻蚀剂、有机高分子聚合物和溶剂B或分散剂B的质量比为1:0.5‑50:100‑1000；所述的高温煅烧为在400‑1200℃温度条件下煅烧10分钟到4小时；其中，所述的溶剂B或分散剂B用于溶解或分散刻蚀剂；(2)去掉金属箔和反应产物，即得到超薄多孔石墨烯分离膜；所述的超薄多孔石墨烯分离膜为单层、双层或多层。
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