[发明专利]一种直接生长超薄多孔石墨烯分离膜的方法

权利要求书

1.一种直接生长超薄多孔石墨烯分离膜的方法，其特征在于，步骤如下：

(1)将刻蚀剂、溶剂A和高分子聚合物的混合物涂覆在金属箔上，在无氧条件下高温煅烧，其中，刻蚀剂、高分子聚合物和溶剂A的质量比为1:0.5-50:100-1000；或将刻蚀剂和溶剂B或分散剂B的溶液或分散液涂覆在金属箔上，再覆盖一层高分子聚合物薄膜，在无氧条件下高温煅烧，其中，刻蚀剂、高分子聚合物和溶剂B或分散剂B的质量比为1:0.5-50:100-1000；所述的高温煅烧为在400-1200℃温度条件下煅烧10分钟到4小时；

其中，所述的溶剂B或分散剂B用于溶解或分散刻蚀剂；

(2)去掉金属箔和反应产物，即得到超薄多孔石墨烯分离膜；所述的超薄多孔石墨烯分离膜为单层或多层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的刻蚀剂为金属氧酸盐、金属硝酸盐和、金属氧化物中的一种或两种以上的混合，刻蚀剂溶液或分散液的质量浓度为0.1％-20％。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的高分子聚合物为聚乙烯醇缩丁醛和/或聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的溶剂A为甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、氯仿的一种或两种以上混合；所述的溶剂B或分散剂B为乙醇和/或水。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的溶剂A为甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、氯仿的一种或两种以上混合；所述的溶剂B或分散剂B为乙醇和/或水。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的金属箔为铜箔或镍箔。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的金属箔为铜箔或镍箔。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的金属箔为铜箔或镍箔。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的无氧条件为惰性气体保护或真空。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的无氧条件为惰性气体保护或真空。